В России сохраняется высокая зависимость от импортной электронно-компонентной базы
20 Декабря 2013
Российская электронная промышленность все больше зависит от импортного сырья и комплектующих, но понемногу сокращает разрыв с ведущими производителями электронной компонентной базы, заявил, выступая на коллегии Счетной палаты аудитор Сергей Агапцев.
Он пояснил, что в 2010 г. был достигнут технологический уровень электроники 130 нанометров, а в 2011году – 90 нм. По планам к 2015 г. будет достигнут технологический уровень в 45 нм.
Он также рассказал, что в 2010-2012 годах после проведенной реконструкции и технического перевооружения было введено в эксплуатацию 43 объекта разработки и производства электроники, разработано 158 базовых технологий в области электронной компонентной базы и радиоэлектроники, завершено 10 поисковых технологических научно-исследовательских работ.
Аудитор Счетной палаты отметил, что значительная часть технологического оборудования, а также сырье и расходные материалы, применяемые в микроэлектронике, импортного производства. Тем самым с каждым годом усиливается зависимость от импортных материалов.
«В целом результаты контрольного мероприятия свидетельствуют о том, что разрыв в технологиях производства электронной компонентной базы с наиболее развитыми странами сокращается, но незначительно», - резюмировал свое выступление С.Агапцов.
Источник: Счетная палата
Он пояснил, что в 2010 г. был достигнут технологический уровень электроники 130 нанометров, а в 2011году – 90 нм. По планам к 2015 г. будет достигнут технологический уровень в 45 нм.
Он также рассказал, что в 2010-2012 годах после проведенной реконструкции и технического перевооружения было введено в эксплуатацию 43 объекта разработки и производства электроники, разработано 158 базовых технологий в области электронной компонентной базы и радиоэлектроники, завершено 10 поисковых технологических научно-исследовательских работ.
Аудитор Счетной палаты отметил, что значительная часть технологического оборудования, а также сырье и расходные материалы, применяемые в микроэлектронике, импортного производства. Тем самым с каждым годом усиливается зависимость от импортных материалов.
«В целом результаты контрольного мероприятия свидетельствуют о том, что разрыв в технологиях производства электронной компонентной базы с наиболее развитыми странами сокращается, но незначительно», - резюмировал свое выступление С.Агапцов.
Источник: Счетная палата